中微公司 Primo Domingo 全球首台付运，面向 GAA 与 3D DRAM 高选择性刻蚀

IT之家 10 月 22 日消息，中微公司今日宣布，其 Primo Domingo 气相高选择性刻蚀设备的全球首台机已付运国内一家重要集成电路研发制造客户。 该设备针对 GAA 晶体管、3D NAND 和 3D DRAM 等下一代三维器件工艺开发，中微公司称其填补了国内在下一代 3D 半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。 IT之家提醒，该设备本身并非首次亮相 —— 中微公司今年 3 月已发布该产品，此次付运意味着它从产品发布进入了客户端的实际验证环节。 据中微公司介绍，芯片架构从平面走向三维，是当前先进制程与存储技术继续缩微的主要路径。GAA 晶体管需要在纳米尺度的沟道周围形成栅极包裹，3D NAND 依靠层数堆叠提升容量，3D DRAM 则试图以垂直结构突破平面电容的面积限制。这些结构的共同工艺难点在于：必须在极小的空间内精准去除特定材料，同时几乎不损伤相邻结构。高选择性刻蚀解决的正是“去除什么”与“保留什么”之间的取舍，其选择比的高低直接决定三维器件能否在良率可控的前提下制造出来。 Primo Domingo 的技术设计围绕均匀性与稳定性展开。设备采用全对称腔体结构与优化流场设计，将气体注入、温度控制和压力调控进行系统整合；集成气柜缩短了气体注入距离，以支持更快的脉冲气体精密控制。 针对高活性刻蚀气体对设备的腐蚀问题，中微公司为其配置了高抗腐蚀管路与特殊涂层材料。晶圆基座采用双制冷 / 双加热设计，用于宽范围精准温控。传输系统沿用中微公司已量产的 Primo C6V3 平台，可搭配主刻蚀腔与辅助退火腔。 中微公司公开资料显示，Primo Domingo 在 GAA 与 3D DRAM 关键工艺的实验室验证中实现了大于 700:1 的 SiGe / Si 选择比，但该数据尚待客户端量产验证确认。 2026 年上半年，中微公司营收 66.91 亿元，同比增长 34.8