消息 NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案

IT之家 10 月 21 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称， NVIDIA（英伟达）的下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案 。 当前一代的 Groq LPU 采用了大容量 SRAM 的缓存设计，提供快速解码输出。但 SRAM 有着容量较小、制程升级密度收益有限的问题， 在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限 。 IT之家注意到，同样采用大 SRAM 技术路线的 Cerebras 此前已预告未来的 CS-6 将 3D 垂直集成 DRAM。 相关阅读： 《 Cerebras 揭秘 CS-6 晶圆级进化：颠覆性 3D 堆叠，首次垂直集成 DRAM 》