英特尔 CTO 称其与台积电制程技术差距小于 10%，但产能追赶仍需时间

IT之家 10 月 24 日消息，当地时间 10 月 22 日，Dwarkesh Patel 放出了一段针对英特尔首席技术官普什卡尔 · 拉纳德（Pushkar Ranade）的采访视频。 拉纳德表示，从制程技术角度来看，英特尔与台积电之间的差距已经缩小至几个百分点，但追赶台积电的制造规模仍将是一个缓慢的过程。他强调，相比单纯追求性能或芯片面积密度上的小幅领先，按时推进制程、提高良率并快速扩大产能更为重要。 他指出，台积电目前的晶圆制造规模明显大于英特尔，双方的竞争不仅涉及技术指标，还取决于能否稳定生产大量先进芯片。他表示，如果只讨论技术水平，英特尔已经接近台积电，但性能、功耗和面积密度等指标仍可能存在几个百分点的差距。 他认为，先进制程的竞争不能只看单项基准测试结果。当制程技术落后一整代时，差距可能相当明显；但当双方技术水平接近时，制造执行能力、良率以及产能爬坡速度就显得更加重要。 拉纳德指出，即使性能或面积密度存在几个百分点的差距，只要能够按时推进工艺并维持较高良率，仍有机会在竞争中取得进展。 此外，拉纳德在访谈中还谈到了先进芯片产能扩张面临的限制。他表示，即使英特尔希望大幅增加先进制程晶圆产量，全球半导体制造设备的供应能力也难以支持产能增长十倍；在现有条件下，产量翻倍更具可行性。他指出，EUV 光刻设备是主要瓶颈之一，但其他制造设备同样存在供应紧张的问题。 在同一场访谈中，英特尔制造开发与客户合作部门副总裁兼总经理克里斯 · 奥斯谈到了高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术。他表示，英特尔采用背面供电架构，将供电网络转移至晶圆背面，减少了晶圆正面布线的间距压力，因此能够在部分工艺层中直接使用 High-NA EUV 设备。 IT之家注：High-NA EUV 通过将光学系统的数值孔径从传统 EUV 设备的 0.33 提升至 0.55，进一步提高光刻分辨率。